三星二代10纳米将加速未来DRAM芯片问世 进一步抢攻DRAM市场商机

来源: 作者:2017年12月27日 11:22
抢攻DRAM市场商机,三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案,以达更高效能、更低功耗,以及更小的体积。 DRAM市场表现强劲,IC Insights预估,2017年DRAM市场将激增74%,为1994年以来最大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别,产值高达720亿美元。 三星二代10纳米将加速未来DRAM芯片问世 进一步抢攻DRAM市场商机 为迎合市场庞大需求,三星内存事业部门总裁Gyoyoung Jin表示,第二代DDR4 DRAM的电路设计与制程新技术,让该公司突破DRAM扩展性的主要障碍;三星将加速新产品的量产,同时也积极扩大第一代DDR4 DRAM的产量。 据悉,三星第二代10奈米制程所生产的8Gb DDR4 DRAM,比第一代在生产效率上提高了近30%。 同时,为提升DRAM效能,该组件使用全新技术,分别为高敏感度的单元数据感测系统及「空气间隔」方案,而非过往的EUV技术。 三星指出,透过高敏感度的单元数据感测系统,可更精准确定每个内存单元内储存的数据,提升电路整合度以及制造生产力;而在字符线(Bit Lines)周遭放置空气间隔,可降低寄生电容,达到更高等级的微缩及快速的单元运作。 新技术的加持让第二代8Gb DDR4 DRAM的性能和省电效益分别提高了约10%和 15%;且每个引脚能以每秒3,600Mbit/s的速度运行,比第一代的8Gb DDR4 DRAM的3,200Mbit/s速度,提升10%以上。 三星指出,在第二代10奈米等级DRAM所采用的创新技术,将让该公司能加速未来DRAM芯片的问世,包括DDR5、HBM3、LPDDR5与GDDR6,用于企业服务器、超级计算机、高性能运算系统,以及行动设备等。 目前三星已和CPU制造商完成了第二代8Gb DDR4 DRAM模块的验证,接下来计划将与全球IT企业紧密合作,开发更高效的运算系统。 未来三星除迅速增加第二代10奈米DRAM产量外,也将持续生产更多第一代DDR4 DRAM的产量,以满足日益增长的DRAM市场。
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