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第三季DRAM产值再创新高 原厂获利能力恐已见顶

2018年11月15日 13:43 次阅读
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,2018年第三季DRAM整体产业营收较上季成长9%,再创历史新高。 观察各产品类别的报价走势,除了图显内存(graphic DRAM)受到虚拟挖矿(cryptocurrency)需求骤减与基期太高的影响,出现3%左右的跌幅,以及消费性市场应用主流DDR3因需求转弱而率先走跌外,其余主流应用别的内存(包含标准型、服务器、行动式内存)仍维持0-2%的季涨幅。 DRAMeXchange指出,有别于过去两年多来营收成长主要由报价上扬所带动,由于DRAM产能已在下半年陆续开出,第三季价格涨幅基本已接近持平,因此营收成长主要来自于位元出货量的持续提升。 展望第四季,10月份的DRAM合约价已经正式走跌,除了宣告DRAM价格涨势告一段落,供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈。预期在供给端、渠道端、采购端库存尚未完全消化前,2019年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。 从营收角度观察,DRAMeXchange指出,在产业迈向反转之际,小厂受到的冲击较龙头厂来得实时且剧烈,因此大小厂商的表现在第三季开始出现分歧。 产业龙头三星受惠于新增产能逐渐放量,位元出货成长显著,尽管平均销售单价未有明显变化,但营收仍较上季成长13.6%,来到127.3亿美元的新高,在三大厂中表现最为亮眼。 而SK海力士在产出提升及平均销售单价小幅上扬1%的助力下,营收季增6.0%至81.5亿美元。两大韩厂营收市占分别为45.5%与29.1%,合计约74.6%。 美光集团依旧维持第三,虽然销售单价约略持平,但位元出货提升仍带动营收来到59.2亿美元,较前一季成长6.8%,市占率则约略持平在21.1%。 观察原厂获利能力,即便第三季平均销售单价的涨幅已大幅收敛,然各厂仍持续靠着转进先进制程优化成本结构,使得营业利益率仍较前一季上扬。 三星的1Ynm在第三季开始出货,因新一代制程在量产初期通常良率较低,拖累部分获利表现,导致三星的营业利益率在三大原厂中成长幅度最小,由前一季的69%微幅上升至70%,但仍创下历史新高,亦显示生产DRAM的毛利已突破八成水位。 至于SK海力士,本季1Xnm的良率显著提升,带动营业利益率从63%成长至66%,表现最为亮眼。美光受惠1Xnm的比重持续提升,拉抬营业利益率从60%升至62%。 三大原厂营业利益率持续刷新纪录,但在第四季DRAM价格已正式反转向下且跌幅显著的情况下,成本优化可能已无法抵销报价下滑的冲击,因此原厂获利的高点恐已结束。 由技术面观察,三星今年除了维持1Xnm制程高产出比重外,部分Line 17增加的投片以及平泽厂二楼的DRAM产能,将往下一代1Ynm制程转进。随着平泽厂产能于今年下半年陆续开出,1X+1Ynm产出比重在年底合计将达70%,并于2019年持续提升1Ynm占比。 SK海力士经过两个季度的调整与改良,1Xnm良率在第三季显著提升,而中国无锡的第二座12英寸厂仍照进度将于年底前完工,并于2019上半年开始贡献产出,但受到中美贸易摩擦的影响,无锡厂扩增投片的脚步不会太积极。 而美光方面,台湾美光存储器(原瑞晶)已全数以1Xnm生产,下一步将直接转往1Znm,但实际贡献将落在2020年;台湾美光晶圆科技(原华亚科)已于第二季进行20nm往1Xnm的转换,年底前将开始转往1Ynm,并于明年逐步提升比重。 台系厂商部分,南亚科第三季出货量小幅下滑,使营收表现较前一季衰退3.7%。不过在20nm的成本效益带动下,营业利益率仍旧由上一季的46.8%大幅提升至51.0%。然而,受到DRAM报价反转向下影响,加上南科扩厂的折旧费用要开始摊提,获利能力要再攀升恐有一定压力。 力晶科技方面,由于第三季转移较多产能至获利较好的SLC NAND与非DRAM代工产品,因此本身DRAM营收较上季下滑13.3%;华邦DRAM营收则约略持平,出货量和平均销售单价皆呈现稳定。 来源:集邦咨询TrendForce

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发表于 2018-09-13 14:31 13次阅读
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SN54LS298 具有存储器的四路 2 输入多...

这些带存储的单片四路双输入多路复用器提供两个独立MSI功能的等效功能(SN54157 /SN74157或SN54LS157 /SN74LS157和SN54175 /SN74175)或单个16引脚封装的SN54LS175 /SN74LS175)。 当字选输入为低电平时,字1(A1,B1,C1,D1)适用于触发器。字输入的高输入将导致选择字2(A2,B2,C2,D2)。所选字在时钟脉冲的下降沿输出到输出端。 对于'LS298',298和65毫瓦的典型功耗为195毫瓦。 SN54298和SN54LS298的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作; SN74298和SN74LS298的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 特性 选择两个4位数据源中的一个并与系统时钟同步存储数据 应用程序: < li>算术处理器中操作数和常量的双源;可以释放处理器寄存器文件以获取新数据 实现能够并行交换内容但保留外部负载能力的单独寄存器 用于实现各种移位模式的通用类型寄存器;甚至具有复合左右能力 参数 与其它产品相比 解码器/编码器/多路复用器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (M...
发表于 2018-08-30 10:59 3次阅读
SN54LS298 具有存储器的四路 2 输入多...

SN74BCT2414 具有片上电源监控器的双路...

The SN74BCT2414 is a decoder specially designed to be used in memory systems with battery backup during power failure. The two independent 2-line to 4-line decoders with separate and common control inputs may be externally cascaded to implement a 3-line to 8-line decoder. The circuit has two supply voltage inputs: the voltage monitor (bandgap) is powered via the VCC terminal; the internal logic of the circuit is powered via the Vbat terminal. In case VCC drops below 3.65 V (nominal), the voltage monitor forces the voltage-control (VS) and decoder outputs (Y) to the high level. VS may be used to disconnect the supply voltage of the memories (Vbat) from the system supply. This output is switched off when the on-chip supply voltage monitor detects a power failure. The SN74BCT2414 is characterized for operation from 0°C to 70°C. 特性 BiCMOS设计大幅降低待机电流 两个独立的2线到4线解码器或一个3线到8线解码器 用于简易级联的独立使能输入 两个电...
发表于 2018-08-28 11:28 10次阅读
SN74BCT2414 具有片上电源监控器的双路...

SN74LS399 具有存储器的四路 2 输入多...

这款带有存储器的单片四路双输入多路复用器提供了两个独立的MSI功能(SN54LS157 /SN74LS157和SN54LS175 /SN74LS175)的等效功能16引脚封装。 当字选输入为低电平时,字1(A1,B1,C1,D1)应用于触发器。字输入的高输入将导致选择字2(A2,B2,C2,D2)。所选字在时钟脉冲的正向边沿输出到输出端。 典型功耗为37毫瓦。 SN54LS399的特点是可在-55°C至125°C的整个军事范围内工作。 SN74LS399的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 特性 'LS399 上的单轨输出选择两个4位数据源中的一个并与系统同步存储数据时钟 应用程序: 算术处理器中操作数和常量的双源;可以释放处理器寄存器文件以获取新数据 实现能够并行交换内容但保留外部负载能力的单独寄存器 用于实现各种移位模式的通用类型寄存器:甚至还有复合左 - 权利能力 参数 与其它产品相比 编码器和解码器   Function Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) ICC @ Nom Voltage (Max) (mA) tpd @ Nom Voltage (M...
发表于 2018-08-23 16:16 6次阅读
SN74LS399 具有存储器的四路 2 输入多...