三星开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片

芯智讯 2017-12-29 11:15 次阅读
据韩联社北京时间12月20日报道,三星电子今天宣布,已开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片。 三星称,公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,实现了新的突破。2016年2月,三星已使用第一代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片。 另据路透社报道,三星开发的8Gb DDR4芯片是“全球最小”的DRAM芯片,扩大了领先对手的优势。在半导体业务的推动下,三星今年的营业利润有望创下纪录。 三星开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片 三星称,和第一代10纳米级工艺相比,第二代工艺的产能提高30%,有助于公司满足全球客户不断飙升的DRAM芯片需求。而且,第二代10纳米级芯片要比第一代芯片快10%,功耗降低15%。 作为全球最大芯片制造商,三星表示,和2012年使用20纳米工艺生产的4Gb DDR3芯片相比,新的8Gb DDR4芯片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。 三星称,公司希望通过扩大10纳米级DRAM芯片的生产,进一步提升整体竞争力。三星还表示,公司将使用新工艺为客户生产更多优质产品,利用最新技术进步,深挖服务器、移动和图形芯片市场。三星将在2018年把现有多数DRAM芯片产能转移到10纳米级芯片上。 三星在10月底为半导体部门等三大主要业务任命了新一代负责人。三星称,公司并不寻求立即扩大芯片出货量,但会投资维持长期市场地位。

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