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IC Insights:预测2018年中国Pure-Play代工市场增长90%

渔翁先生 2018-09-28 09:54 次阅读
通过加密货币设备的驱动需求,台积电今年的中国销售额预计将增长79%。
 
根据IC Insights九月“McClean Report”的更新数据显示,由于今年中国纯晶圆代工市场预计增长51%(图1),中国2018年纯晶圆代工市场的总份额预计会增加增加了5个百分点至19%,超过了亚太地区其他地区的份额。总体而言,预计2018年中国整个纯晶圆代工市场将增加42亿美元中的90%。
随着近期中国无生产线IC公司的崛起,该国对代工服务的需求也在增加。总体而言,去年中国的纯晶圆代工销售额增长了26%,达到75亿美元,几乎是整个纯晶圆代工市场增长9%的三倍。此外,在2018年,预计对中国的纯晶圆代工销售额将激增51%,超过今年纯晶圆代工市场预期增长8%的6倍。
 
虽然预计所有主要的纯手工铸造厂今年都将在中国实现两位数的销售增长,但预计迄今为止增幅最大的是纯粹的代工厂商台积电。继2017年增长44%之后,台积电对中国的销售额预计将在2018年再增加79%至67亿美元。因此,预计中国将主要负责今年台积电的所有销售增长,中国在该公司销售额中的份额从2016年的9%增加到2018年的19%。
 
如图2所示,台积电在中国的大部分销售额在过去一年都有所增长,其中2017年第2季度的销售额几乎是2017年第3季度的两倍。该公司近期对中国的销售激增很大程度上是由于定制设备进入加密货币市场的需求增加所致。事实证明,许多大型加密货币无厂设计公司都设在中国,其中大部分已经转向台积电为这些应用生产先进的芯片。值得注意的是,台积电将其加密货币业务作为其高性能计算领域的一部分。
虽然台积电过去一年的加密货币业务销售额大幅上升,但该公司已表示预计今年下半年该业务将出现放缓。似乎对加密货币设备的需求高度依赖于各种加密货币的价格(其中最受欢迎的是比特币)。因此,最近比特币的价格暴跌(从今年1月份的每比特币超过15,000美元到9月份的不到7万美元),以及其他加密货币,正在降低对这些IC的需求。此外,由于台积电从一开始就意识到加密货币市场将会波动,公司没有根据最近强大的加密货币需求调整其容量计划,也没有将加密货币业务假设纳入其对未来长期增长的预测中。
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LTC3577-3 高集成度便携式产品 PMIC

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LT3080 可调 1.1A、单电阻、低压差稳压器

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HMC1105 GaAs MMIC x2无源倍频器,20 - 40 GHz输入

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HMC1063 GaAs MMIC I/Q混频器,24 - 28 GHz

和特点 低LO功率: 10 dBm 宽IF带宽: DC - 3 GHz 镜像抑制: 21 dBc LO/RF隔离: 40 dB 高输入IP3: 17 dBm 16引脚3x3 mm SMT封装: 9 mm² 产品详情 HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q MMIC混频器,采用“无铅”SMT封装,可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件,均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。 低频正交混合器件用于产生1,000 MHz LSB IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC1063LP3E无需线焊,可以使用表贴制造技术。 应用 点对点和点对多点无线电 军用雷达、EW和ELINT 卫星通信 传感器方框图...
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HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.1 - 33 GHz

和特点 衰减范围:1 dB LSB步进至31 dB 插入损耗:典型值6 dB(33 GHz) 衰减精度:±0.5 dB(典型值) 输入线性度o0.1 dB压缩(P0.1dB):24 dBm(典型值)o三阶交调点(IP3):40 dBm(典型值) 功率处理:27 dBm 双电源供电:±5 V CMOS/TTL兼容并行控制 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装HMC939ATCPZ-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准) 下载HMC939ATCPZ-EP数据手册(pdf) 军用温度范围:-55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 产品详情 HMC939ALP4E是一款5位数字衰减器,以1 dB步长提供31 dB的衰减控制范围。HMC939ALP4E在100 MHz至33 GHz的指定频率范围内提供最佳的插入损耗、衰减精度和输入线性度。HMC939ALP4E需要VDD = +5 V和VSS = −5 V双电源电压供电,通过集成片内驱动器提供CMOS/TTL兼容并行控制接口。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装。有关HMC939ALP4E的裸片版本,请参见HMC939A-DIE。应用 测试仪器仪表 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT) 军...
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HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

和特点 低噪声指数:2 dB(典型值) 高增益:25.0 dB(典型值) P1dB 输出功率:13.5 dBm,24 GHz 至 40 GHz 高输出 IP3:25.5 dBm(典型值) 裸片尺寸:1.309 mm × 1.48 × 0.102 mm 产品详情 HMC1040CHIPS 是一款砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 低噪声宽带放大器,工作范围为 20 GHz 至 44 GHz。HMC1040CHIPS 具有自偏置功能,并提供 25.0 dB 的典型增益、2 dB 的典型噪声指数和 25.5 dBm 的典型输出三阶交调点 (IP3),只需要 65 mA 电流,2.5 V 电源电压。15.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 Analog Devices, Inc. 众多平衡式同样正交 (I/Q) 或镜频抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。HMC1040CHIPS 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出,使其适用于基于表面安装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。应用 软件定义无线电 电子战 雷达应用 卫星通信 电子战 仪器仪表 电信 方框图...
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HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

和特点 噪声系数: 2.8 dB 增益: 15 dB OIP3: 23 dBm 单电源: +3V (65 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.27 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC519是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器芯片,工作频率范围为18至32 GHz。 HMC519提供15 dB小信号增益、2.8 dB噪声系数及高于23 dBm的输出IP3。 由于尺寸较小,该芯片可轻松集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.075 mm (3 mil)、最小长度0.31 mm (12 mil)的焊线连接。 也可用两根直径为0.025mm (1 mil)的焊线进行RFIN和RFOUT连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
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HMC902-DIE 5 GHz至11 GHz GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

和特点 噪声系数:小信号增益:1.6 dB(典型值)20 dB(典型值) P1dB输出功率:16 dBm(典型值) 电源电压:3.5 V(80 mA,典型值) 输出IP3:28 dBm(典型值) 50 Ω匹配输入/输出 通过可选偏置控制实现自偏置,在不施加射频(RF)的情况下降低静态漏极电流(IDQ) 裸片尺寸:1.33 mm × 1.04 mm × 0.102 mm 产品详情 HMC902-裸片是一款砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器(LNA),通过可选偏置控制实现自偏置,以降低IDQ。HMC902-裸片的工作频率范围为5 GHz至11 GHz。该LNA提供20 dB的小信号增益、1.6 dB的噪声系数、28 dBm的输出IP3,采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902-裸片还具有匹配至50 Ω的输入/输出以便轻松集成到多芯片模块(MCM)。所有数据均利用50 Ω测试夹具中的HMC902-裸片获取,通过长度为0.31 mm (12 mil)、直径0.025 mm (1 mil)的两条线焊连接。应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事与航天 测试仪器仪表 工业科研和医疗(ISM)无线电频段 免执照国家信息基础设...
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HMC190B GaAs MMIC SPDT开关SMT,DC - 3 GHz

和特点 低插入损耗: 0.4dB 小型封装: MSOP8 高输入IP3: +50 dBm 正控制电压: 0/+3V (0.1 uA) 产品详情 HMC190BMS8(E)是一款低成本SPDT开关,采用8引脚MSOP封装。 该开关可控制DC至3 GHz范围的信号。 它尤其适合采用正控制电压的中低功耗应用。 这两个控制电压所需的直流电流非常小,极其适合0.9、1.9和2.4 GHz频率范围的电池供电无线电系统。 HMC190BMS8(E)提供出色的、+56 dBm第三阶交调性能。 该设计针对小型MSOP封装进行了优化,保持优于1.2:1至2 GHz的VSWR性能。 该器件为HMC239AS8(E)负控制器件的正控制MSOP8封装版本。应用 MMDS和无线局域网 便携式无线系统方框图...
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HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式开关,DC - 2.5 GHz

和特点 低插入损耗(2 GHz):1.1dB 单正电源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL解码器 24引脚QSOP封装 产品详情 HMC253AQS24和HMC253AQS24E均为低成本非反射SP8T开关,采用24引脚QSOP封装,宽带工作频率范围为DC至2.5 GHz。该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性。该开关上集成了3:8解码器,仅需三个控制线和一个正偏置即可选择每个路径。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T将替代SP4T和SPDT MMIC开关的多种配置。应用 CATV/DBS CDMA 蜂窝/PCS 方框图...
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HMC245A GaAs MMIC SP3T非反射式开关,DC - 3.5 GHz

和特点 低插入损耗: 0.7 dB (2.0 GHz) 非反射式设计 集成式2:3 TTL解码器 “全部关断”隔离状态 单正电源: Vdd = +5V 16引脚QSOP SMT封装产品详情 HMC245AQS16和HMC245AQS16E均为低成本反射式SP3T开关,采用16引脚QSOP表贴封装。 该开关频率范围为DC至3.5 GHz,提供30至40 dB隔离和0.7 dB的低插入损耗。 该开关上集成了2:3 TTL/CMOS兼容解码器,仅需两条控制线和单个+5V偏置即可选择每个路径,从而可取代GaAs SP3T开关通常所需的6条控制线。 应用 基站基础设施  CATV / DBS  无线本地环路  测试设备方框图...
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HMC1084 GaAs MMIC SP4T反射开关,23 - 30 GHz

和特点 宽带性能: 23 - 30 GHz 高隔离度: 26 dB 插入损耗: 2.8 dB 高功耗处理: >27 dBm 24引脚4x4mm SMT封装: 16mm 产品详情 HMC1084是一款宽带反射GaAs MESFET SP4T开关,采用紧凑型4x4 mm陶瓷封装。 该开关频率范围为23 - 30 GHz,具有高隔离度和低插入损耗。 HMC1084由0/-3V逻辑控制,具有快速开关速度,且直流功耗比基于pin二极管的解决方案小。 HMC1084采用紧凑型外形尺寸,非常适合微波无线电、SATCOM以及传感器应用。 HMC1084采用无铅4x4 mm SMT封装,兼容表面贴装制造技术。 应用 电信基础设施 微波无线电和VSAT 军事和太空混合器件 测试仪器仪表 SATCOM和传感器 方框图...
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HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相器,2.5-3.1 GHz

和特点 低RMS相位误差: 1.5° 低插入损耗: 4 dB 高线性度: +50 dBm 正控制逻辑 360°覆盖,LSB = 5.625° 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36mm2产品详情 HMC647ALP6E是一款6位数字移相器,额定频率范围为2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC647ALP6E在所有相态具有1.5度的极低RMS相位误差及±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/+5V的正控制逻辑控制。HMC647ALP6E采用紧凑型6x6 mm塑料无引脚SMT封装,内部匹配50 Ohms,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
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ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器

和特点 RF输出频率范围:17 GHz至24 GHz IF输入频率范围:2 GHz至4 GHz LO输入频率范围:8GHz至12 GHz,集成2×乘法器 边带抑制:32 dB(下边带) P1dB:25 dBm 增益调节:30 dB 输出IP3:33 dBm 匹配50 Ω RF输出、LO输入和IF输入 32引脚、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装 产品详情 ADMV1011是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)、双边带(DSB)上变频器,采用符合RoHS标准的封装,针对工作频率范围为17 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。ADMV1011提供21 dB的转换增益,具有针对下边带和上边带的32 dBc和23 dBc边带抑制性能。ADMV1011采用射频(RF)放大器,前接由驱动放大器驱动集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。还提供IF1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带的滤波要求。ADMV1011为混合型DSB上变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造装配。ADMV1011上变频器采用紧凑的散热增强型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装。ADMV1011工作温度范围为−40°C至+85°...
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ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

和特点 低功耗 精密电压监控器 ADM800L/M容差:±2% 复位时间延迟:200 ms或可调 待机电流:1 µA 备用电池电源自动切换 芯片使能信号快速片内选通 同时提供TSSOP封装(ADM691A)产品详情 ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列监控电路均为完整的单芯片解决方案,可实现微处理器系统中的电源监控和电池控制功能。这些功能包括微处理器复位、备用电池切换、看门狗定时器、CMOS RAM写保护和电源故障警告。该系列产品是MAX691A/93A/800M系列的升级产品。所有器件均提供16引脚DIP和SO封装。ADM691A同时提供节省空间的TSSOP封装。主要提供下列功能:启动、关断和掉电情况下的上电复位输出。即使VCC低至1 V,电路仍然可以工作。CMOS RAM、CMOS微处理器或其它低功耗逻辑的备用电池切换。如果可选的看门狗定时器在指定时间内未切换,则提供复位脉冲。1.25 V阈值检波器,用于电源故障警告、低电池电量检测或+5 V以外电源的监控。 方框图...
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ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器IC

和特点 超低功耗、高性能收发器 工作频段862 MHz至928 MHz431 MHz至464 MHz 支持的数据速率:1 kbps至300 kbps 电源电压范围:2.2 V至3.6 V 单端和差分PA 中频带宽可编程的低中频接收机:100 kHz、150 kHz、200 kHz、300 kHz 接收机灵敏度(BER)−116 dBm(1.0 kbps,2FSK、GFSK)−107.5 dBm(38.4 kbps,2FSK、GFSK)−102.5 dBm(150 kbps,GFSK、GMSK)−100 dBm(300 kbps,GFSK、GMS)−104 dBm(19.2 kbps,OOK) 极低功耗 RF输出功率范围:−20 dBm至+13.5 dBm(单端PA) 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADF7023是一款工作在862 MHz至931 MHz和431 MHz至464 MHz频段的极低功耗、高集成度2FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器,这些频段覆盖免许可的433MHz、868MHz和915MHz ISM频段。它适合欧洲ETSI EN300-220、北美FCC (Part 15)、中国短程无线监管标准或其它类似地区标准下的电路应用。支持1 kbps至300 kbps的数据速率。发射RF频率合成器包含一个VCO和一个输出通道频率分辨率为400 Hz的低噪声小数N分频锁相环(PLL)。VCO的工作频...
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LTC3862-1 多相电流模式升压型 DC/DC 控制器

和特点 宽 VIN 范围:8.5V 至 36V 运作 两相操作减小了输入和输出电容 固定频率、峰值电流模式控制 用于高电压 MOSFET 的 10V 栅极驱动 可调斜坡补偿增益 可调最大占空比 (高达 96%) 可调前沿消隐±1% 内部电压基准可利用一个外部电阻器来设置工作频率 (75kHz 至 500kHz)可锁相固定频率:50kHz 至 650kHz用于两相、3 相、4 相、6 相或 12 相操作的 SYNC 输入和 CLKOUT (可利用 PHASEMODE 引脚来设置)内部 10V LDO 稳压器24 引脚窄体 SSOP 封装具 0.65mm 引脚间距的 5mm x 5mm QFN 封装24 引脚耐热性能增强型 TSSOP 封装 产品详情 LTC®3862-1 是一款两相、恒定频率、电流模式升压和 SEPIC 型控制器,用于驱动 N沟道功率 MOSFET。两相操作降低了系统滤波电容和电感要求。工作频率可利用一个外部电阻器设定在 75kHz 至 500kHz 的范围内,并可采用内部 PLL 而被同步至一个外部时钟。采用 SYNC 输入、CLKOUT 输出和 PHASEMODE 控制引脚可实现多相操作,从而允许执行两相、3 相、4 相、6 相或 12 相操作。其他特点包括一个内部 10V LDO (具有用于栅极驱动器的欠压闭锁保护功能...
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LTC3862-1 多相电流模式升压型 DC/DC 控制器

LTC3355 具集成型 SCAP 充电器和后备稳压器的 20V 1A 降压型 DC/DC 系统 IC

和特点 VIN 电压范围:3V 至 20VVOUT 电压范围:2.7V 至 5V1A 电流模式降压主稳压器采用单个超级电容器向 5A 升压型后备稳压器供电升压型稳压器可在低至 0.5V 的电压条件下运作,以最大限度地利用超级电容器的储能可编程超级电容器充电电流至 1A,并具过压保护功能充电器可支持单节 CC/CV 电池充电可编程 VIN 电流限值可编程升压电流限值VIN 电源故障指示器VCAP 电源良好指示器VOUT 上电复位输出紧凑型 20 引脚 4mm x 4mm QFN 封装 产品详情 LTC®3355 是一款完整的输入电源中断凌驾 DC/DC 系统。该器件可在向 VOUT 输送负载电流的同时给一个超级电容器充电,并在 VIN 电源缺失的情况下使用来自超级电容器的能量以提供连续的 VOUT 后备电源。LTC3355 包含一个异步、恒定频率、电流模式、单片 1A 降压型开关稳压器,以采用一个高达 20V 的输入电源来提供 2.7V 至 5V 的稳定输出电压。一个 1A 可编程恒定电流 / 恒定电压 (CC/CV) 线性充电器负责从 VOUT 给超级电容器充电。当 VIN 电源降至低于 PFI 门限时,该器件的恒定频率、异步、电流模式 5A 升压型开关稳压器将从超级电容器向 VOUT ...
发表于 02-22 12:04 0次 阅读
LTC3355 具集成型 SCAP 充电器和后备稳压器的 20V 1A 降压型 DC/DC 系统 IC

ADE5169 单相电能计量IC,集成8052 MCU、RTC和LCD驱动器

和特点 宽电源电压范围:2.4 V至3.7 V 调节输入与电池输入之间内置双极性开关 超低功耗的省电模式(PSM) 全速运转: 4.4 mA至1.6 mA(取决于PLL时钟) 电池模式:3.3 mA至400 μA(取决于PLL时钟) 休眠模式:实时时钟(RTC)模式:1.7 μARTC和LCD模式:38 μA(LCD电荷泵使能) 基准电压:1.2 V ± 0.1%(10 ppm/°C漂移) 64引脚薄型四方扁平封装(LQFP),符合RoHS标准 见数据表的附加功能 产品详情 ADE5166/ADE5169/ADE5566/ADE55691将ADI公司电能(ADE)计量IC模拟前端和固定功能DSP解决方案与增强型8052 MCU内核、完整RTC、LCD驱动器和所有外设集成为一体,提供一种带液晶显示屏的电表。ADE测量内核包括有功、无功和视在功率计算以及电压和电流均方根值测量。利用内置的电能标量可以访问这些信息,以便进行计费。电能计量DSP包括许多电力线路监控功能(如SAG、峰值和零交越等),可简化电表设计。微处理器功能包括单周期8052内核、带备用电源引脚的完整RTC、SPI或I2C®接口以及2个独立的UART接口。ADE内核提供直接可用的信息,降低了对程序...
发表于 02-22 12:01 0次 阅读
ADE5169 单相电能计量IC,集成8052 MCU、RTC和LCD驱动器

一文告诉你中芯国际跟台积电差距有多大

在港股市场中,中芯国际(00981-HK)是少数可以代表中国科技的“重器”企业之一。不过,与国际芯片....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-22 09:17 158次 阅读
一文告诉你中芯国际跟台积电差距有多大

台积电ADR已领先下挫 还将涉及赔偿问题

台积电表示受南科14B厂光阻剂瑕疵事件影响,本季营收将减少约5.5亿美元,台积电本季合并营收将由原预....
的头像 ssdfans 发表于 02-21 17:24 626次 阅读
台积电ADR已领先下挫 还将涉及赔偿问题

格罗方德晶圆代工举步维艰 三星或成接盘人之一

台积电董事会昨天除了批准1141.434亿新台币的资本预算之外,还公布了今年的年终奖——计提471.....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-21 14:56 266次 阅读
格罗方德晶圆代工举步维艰 三星或成接盘人之一

台积电斥重金抢下ASML半数EUV光刻机

荷兰半导体设备大厂商ASML在财报会议上表示,外媒报导,晶圆代工龙头台积电增加订单,ASML的201....
的头像 半导体观察IC 发表于 02-21 14:23 287次 阅读
台积电斥重金抢下ASML半数EUV光刻机

中芯先进工艺大进展:14nm量产在即、12nm取得突破

如果中芯国际能够批量生产14纳米FinFET场效应晶体管,并且,进一步向前推进“半世代”工艺12纳米....
的头像 DIGITIMES 发表于 02-20 15:58 1409次 阅读
中芯先进工艺大进展:14nm量产在即、12nm取得突破

“命途多舛”的格芯,中国区新总裁“空降” 能力挽狂澜?

面对沸沸扬扬的传闻以及让外界担忧的营运状况,这位上任的新官表示,格芯的状况“很好且不仅仅是还好而已”....
的头像 DIGITIMES 发表于 02-20 15:44 1046次 阅读
“命途多舛”的格芯,中国区新总裁“空降” 能力挽狂澜?

7纳米世代晶圆代工台积电、三星对峙 二线厂另辟蹊径

最新7纳米世代晶圆代工战况已形成台积电、三星对峙局面,然值得关注的不只是双雄竞局,二线晶圆代工厂全面....
的头像 DIGITIMES 发表于 02-20 10:12 555次 阅读
7纳米世代晶圆代工台积电、三星对峙 二线厂另辟蹊径

芯闻3分钟:芯来科技与晶心科技强强联手,提速RISC-V产业落地

据消息,台积电顾及客户疑虑,在考虑客户信任优先前提下,将南科14B厂(Fab 14B)因光阻剂瑕疵而....
的头像 电子发烧友网 发表于 02-20 09:39 547次 阅读
芯闻3分钟:芯来科技与晶心科技强强联手,提速RISC-V产业落地

降压型IC充电解决方案需要具备哪些特性

许多由电池供电的设备通常需要各种各样的充电电源、电池化学组成、电压和电流。例如,随着适合所有类型电池....
的头像 电机控制设计加油站 发表于 02-20 09:27 653次 阅读
降压型IC充电解决方案需要具备哪些特性

华为要求台积电等供应商将部分生产线转移到大陆

1月30日,据日经新闻报道,华为正要求台积电和日月光等供应商将部分生产线转移到大陆,以此来应对美国可....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-20 09:00 536次 阅读
华为要求台积电等供应商将部分生产线转移到大陆

二战后日本半导体产业为何能迅速发展并赶超美国

20世纪40—50年代晶体管和集成电路先后在美国诞生。战后日本半导体技术得以迅速发展,与20世纪50....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-19 16:50 764次 阅读
二战后日本半导体产业为何能迅速发展并赶超美国

砍成本改变供应商策略 揭秘台积电内斗

”这已经不像我们过去认识的台积电”,研究半导体产业超过20年的中国国金证券科技及半导体产业负责人陆行....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-19 16:28 581次 阅读
砍成本改变供应商策略 揭秘台积电内斗

台积电7纳米以下比重将持续扩大,或成为主流技术

台积电将包揽ASML这批EUV光刻机中的18台,加上先前的几台,可以在今年3月份启动7nm EUV的....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-19 16:19 518次 阅读
台积电7纳米以下比重将持续扩大,或成为主流技术

台积电晶圆报废量高达10万片,使得英伟达、海思、赛灵思等大客户出货受影响

台积电是在27日发现南科Fab14B厂生产出来的矽晶圆无电讯特性,追查发现,化学材料供应商供应不合格....
的头像 芯闻社 发表于 02-19 16:01 1352次 阅读
台积电晶圆报废量高达10万片,使得英伟达、海思、赛灵思等大客户出货受影响

台积电称晶圆污染事件损失4万片晶圆 在7nm工艺节点上依然领先

在台积电创始人张忠谋去年裸退之后,台积电已经发生两次严重的生产事故了,去年爆出的工厂机台中毒事件最终....
的头像 半导体动态 发表于 02-19 15:23 494次 阅读
台积电称晶圆污染事件损失4万片晶圆 在7nm工艺节点上依然领先

十万片晶圆报废重做,让台积电本季营收无法达成原预估目标

台积电十五日坦承受南科14B厂光阻剂瑕疵事件影响,本季营收将减少约五点五亿美元,但因部分产品需求增加....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-19 13:58 828次 阅读
十万片晶圆报废重做,让台积电本季营收无法达成原预估目标

三星、台积电抢食,8寸晶圆代工抢单危机即将引爆

随着台积电、三星积极扩大8寸晶圆代工产能,抢食车用电子、物联网(IoT)等芯片订单,二线企业所面临的....
发表于 02-19 10:48 383次 阅读
三星、台积电抢食,8寸晶圆代工抢单危机即将引爆

台积电报废10万晶圆 7nm成新主力

在台积电创始人张忠谋去年裸退之后,台积电已经发生两次严重的生产事故了,去年爆出的工厂机台中毒事件最终....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-19 10:03 488次 阅读
台积电报废10万晶圆 7nm成新主力

台积电废晶圆 牵动全球电子业走势

台积电因南科14B厂(Fab 14B)光阻剂瑕疵事件下修本季展望。业界估,台积电此次晶圆报废量高达1....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-19 09:38 397次 阅读
台积电废晶圆 牵动全球电子业走势

DS2784独立式单节电池电量计IC的数据手册免费下载

DS2784 采用 2.5V 至 4.6V 电源工作,可集成在单节锂离子(Li+)或 Li+聚合物电....
发表于 02-19 08:00 25次 阅读
DS2784独立式单节电池电量计IC的数据手册免费下载

受市场与转型双重影响三大封装厂业绩下滑 未来如何在先进封装领域发力

日前,长电科技发布公告称,预计2018年年度公司净利润将出现亏损,同为国内一线封测厂的通富微电和华天....
的头像 半导体动态 发表于 02-18 17:20 778次 阅读
受市场与转型双重影响三大封装厂业绩下滑 未来如何在先进封装领域发力

台积电预计光阻原料事件将使第一季度营收减少约5.5亿美元

2月15日,台积电发布公告,经完整评估日前受到光阻原料事件影响的晶圆后,更新2019年第一季业绩展望....
的头像 半导体动态 发表于 02-18 16:47 722次 阅读
台积电预计光阻原料事件将使第一季度营收减少约5.5亿美元

东芝车载直流电机驱动器IC样品发货 将于2019年12月开始批量生产

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布已开始了“TB9058FNG”样品的发货。“TB905....
发表于 02-18 16:19 60次 阅读
东芝车载直流电机驱动器IC样品发货 将于2019年12月开始批量生产

上万片报废晶圆背后巨人企业陷内斗?

「我们从业经验,一般有1千片报废就很恐怖了,超过万片,绝对是(问题发生了)2、3个月才会这么多……,....
的头像 CINNO 发表于 02-18 14:19 406次 阅读
上万片报废晶圆背后巨人企业陷内斗?

台积电第一季度营收预期调降5.4%,报废的晶圆数量超过先前评估

台积电目前预计第一季度毛利率将介于41%至43%之间,低于之前预测的43%至45%。(中国半导体论坛....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-18 14:14 810次 阅读
台积电第一季度营收预期调降5.4%,报废的晶圆数量超过先前评估

台积电因晶圆污染事件调降首季财测

台积电在台股收盘后才公布元月营收,外界预期遭到晶圆污染事件将不致影响财测,不料,晚间台积电发布严重讯....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-18 08:49 543次 阅读
台积电因晶圆污染事件调降首季财测

中芯国际预计第一季度收入是全年低点,14nm制程将量产

中芯国际第1季收入预计为全年相对低点,比去年第4季下降16%~18%。第一代FinFET 14nm制....
发表于 02-17 20:31 352次 阅读
中芯国际预计第一季度收入是全年低点,14nm制程将量产

台积电将购入18台EUV光刻机!

据台媒2月12日报道,为延续7纳米制程领先优势,台积电支持极紫外光(EUV)微影技术的7nm加强版制....
的头像 中国半导体论坛 发表于 02-16 11:11 1407次 阅读
台积电将购入18台EUV光刻机!

芯片制造工艺还是要靠自己_中国芯片制造工艺再进一步

据悉中国大陆最大的芯片代工厂中芯国际已确定在今年6月投产14nmFinFET,同时更先进的12nmF....
的头像 刘某 发表于 02-16 10:10 662次 阅读
芯片制造工艺还是要靠自己_中国芯片制造工艺再进一步

地球为什么要流浪?(芯片角度分析)

大过年的那么多人看电影,我们肯定也去凑了热闹,为《流浪地球》增加点票房,看完之后除了里面的内容让我感....
发表于 02-16 08:26 214次 阅读
地球为什么要流浪?(芯片角度分析)

一颗小小的驱动IC造就了一个行业的“战争之神”

此外,每个通道的输出电流大小可由外接电阻调整,同时芯片内置32级电流增益调节功能。SM16237DS....
的头像 高工LED 发表于 02-15 15:51 514次 阅读
一颗小小的驱动IC造就了一个行业的“战争之神”

台积电积极推进7nm制程工艺 不惧苹果iPhone禁售影响

台积电是台湾领先的全球代工服务提供商,其历史长期以来一直与苹果有关。该公司是Apple的A系列处理器....
发表于 02-15 14:45 559次 阅读
台积电积极推进7nm制程工艺 不惧苹果iPhone禁售影响

模拟集成电路设计精粹PDF电子书免费下载

这本书的目的是为了给试图深入理解模拟集成电路设计的人员提供知识上的帮助,他不是电子学方面的入门课程但....
发表于 02-15 10:28 101次 阅读
模拟集成电路设计精粹PDF电子书免费下载

台积电将在南科六厂旁新建一座8寸厂 用于客户特殊制程要求

台湾地区晶圆代工两大指标厂台积电、世界先进都看好8寸晶圆代工需求成长性,积极扩产。世界先进稍早宣布以....
的头像 半导体动态 发表于 02-14 16:55 1051次 阅读
台积电将在南科六厂旁新建一座8寸厂 用于客户特殊制程要求

台积电要想保持优势,就必须要加快7nm EUV的进程!

所以,台积电要想保持优势,就必须要加快7nm EUV的进程。而7nm EUV工艺的关键在于EUV光刻....
的头像 芯智讯 发表于 02-14 16:04 1099次 阅读
台积电要想保持优势,就必须要加快7nm EUV的进程!

7纳米制程竞争激烈 台积电3月领先量产

延续7纳米制程领先优势,台积电支持极紫外光(EUV)微影技术的7纳米加强版(7+)制程将按既定时程于....
发表于 02-14 00:06 305次 阅读
7纳米制程竞争激烈 台积电3月领先量产

台积电将吃下ASML2019年18台EUV光刻机 7纳米销售占比将提升至25%

就在日前,半导体设备大厂荷兰商艾司摩尔 (ASML) 在财报会议上表示,2019 年 ASML 将把....
的头像 半导体动态 发表于 02-13 16:53 907次 阅读
台积电将吃下ASML2019年18台EUV光刻机 7纳米销售占比将提升至25%

如何减少IC的功耗

功耗是一个“机会均等”问题:从早期设计取舍到自动物理功耗优化,所有降低功耗的技术都彼此相互补充,并且....
发表于 02-13 14:37 59次 阅读
如何减少IC的功耗

7纳米EUV制程战火燃 台积电3月领先量产

延续7纳米制程领先优势,台积电支援极紫外光(EUV)微影技术的7纳米加强版(7+)制程将按既定时程于....
的头像 渔翁先生 发表于 02-13 10:08 1301次 阅读
7纳米EUV制程战火燃 台积电3月领先量产

中国集成电路生产表现强劲 2018-2023年复合增长率达15%

自2005年以来,中国一直是集成电路最大的消费国,但根据新的500页的IC Insight(2019....
的头像 坚白 发表于 02-13 09:55 2217次 阅读
中国集成电路生产表现强劲 2018-2023年复合增长率达15%

新iPhone芯片A13第二季度量产 台积电再次独揽

11日消息,尽管芯片代工巨头台积电今年很可能依旧是苹果最新 A 系列芯片的独家代工商,但是该公司还是....
的头像 高工智能未来 发表于 02-13 08:51 547次 阅读
新iPhone芯片A13第二季度量产 台积电再次独揽

nRF52840蓝牙芯片的产品数据手册免费下载

本产品规范根据集成电路中可用的模块和外围设备组织成章节。 外围设备描述分为单独的部分,包括以下信息....
发表于 02-13 08:00 57次 阅读
nRF52840蓝牙芯片的产品数据手册免费下载

公司要闻:苹果再遭集体诉讼 2018年华为购买芯片支出超210亿美元

很早之前应该是在2015年,苹果就已经推出了双因素认证方法,也就是说苹果在进行密码认证的同时还加入了....
发表于 02-12 16:24 431次 阅读
公司要闻:苹果再遭集体诉讼 2018年华为购买芯片支出超210亿美元

PCB分层堆叠是如何控制EMI辐射的

就我们电路板上的IC而言,IC周围的电源层可以看成是优良的高频电容器,它可以收集为干净输出提供高频能....
发表于 02-12 15:15 103次 阅读
PCB分层堆叠是如何控制EMI辐射的

盘点紫光展锐8大创新技术

创新是IC产业发展的基石!展锐自创立以来,始终将创新作为企业的核心竞争力及驱动力。从2G到5G,展锐....
的头像 芯智讯 发表于 02-12 10:33 511次 阅读
盘点紫光展锐8大创新技术

台积电议价大砍 数家供应链咬牙苦撑

据半导体业者透露,台积电在2018第4季底已提前知晓2019年上半市况能见度不佳、业绩成长动能将停滞....
的头像 DIGITIMES 发表于 02-12 09:48 403次 阅读
台积电议价大砍 数家供应链咬牙苦撑

台积电水逆来袭 上万晶圆报废

2018年8月,台积电被爆厂区计算机遭病毒感染事件,引起业内一片哗然。时隔半年不到,台积电又出事故了....
的头像 DIGITIMES 发表于 02-12 09:45 517次 阅读
台积电水逆来袭 上万晶圆报废

DW1000低功耗单芯片CMOS无线电收发器IC的中文手册免费下载

DW1000 是一款符合 IEEE 802.15.4-2011 超宽带(UWB)标准的完全集成的低功....
发表于 02-12 08:00 42次 阅读
DW1000低功耗单芯片CMOS无线电收发器IC的中文手册免费下载

FinFET(鳍型MOSFET)简介

1、半导体的工艺尺寸 在我们谈到半导体工艺尺寸的时候,通常对于下面的一串数字耳熟能详:3um、2um、1.5um、1um、0.8um、0.5um、...
发表于 01-06 14:46 3221次 阅读
FinFET(鳍型MOSFET)简介

论工艺制程,Intel VS台积电谁会赢?

  SRAM,即静态随机存取存储器,比我们常见的DRAM(动态随机存取存储器)更快,常用于CPU缓存等,也是研发测试新...
发表于 01-25 09:38 6796次 阅读
论工艺制程,Intel VS台积电谁会赢?

分析师对IC市场前景预测不同 但都看好中国

  对于2016年半导体产业营收预测以及市场的长期动力,各家分析师有非常不同的看法;他们在一场于美国举行的晶片业高层年度聚会...
发表于 01-14 14:51 2203次 阅读
分析师对IC市场前景预测不同 但都看好中国

各类常用工艺库台积电,中芯国际,华润上华

各类常用工艺库台积电,中芯国际,华润上华 ...
发表于 12-17 19:52 8763次 阅读
各类常用工艺库台积电,中芯国际,华润上华

[转]台积电借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特尔苹果

转自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM 台积电借16nm FinFET Plus及InFO WL...
发表于 05-07 15:30 2545次 阅读
[转]台积电借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特尔苹果