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最实用的栅极驱动芯片选型指南

英飞凌工业半导体 2019-01-29 09:58 次阅读
英飞凌提供500多种EiceDRIVER™栅极驱动器解决方案,用于驱动MOSFETIGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔离型栅极驱动器、 电平转换栅极驱动器以及非隔离低边驱动器,从而满足各种功率半导体技术和功率转换拓扑的设计要求。 理想的解决方案适用于工业电机驱动、太阳能逆变器、电动商用车CAV,电动汽车充电桩、机器人、UPS、服务器和通信电源、白色家电和小家电、电池驱动应用和高电压照明等市场的数百种终端应用。本文基于不同的终端应用,为您推荐最适合的栅极驱动芯片。在文末还有一个小测试,第3位、第13位以及第23位回答正确的读者将有机会获得我们送出的“EVAL-1ED44176N01F低边栅极驱动器评估板”。 家用电器 英飞凌门极驱动芯片运用行业领先的电平转换绝缘体上硅(SOI)和PN结隔离(JI)技术,帮助您实现家用电器领域对可靠性、安全性和高效性的最严苛要求。实现更高水准的功率与效率。 工业应用 提供高质量、可靠、耐用并能承受严酷环境的解决方案。英飞凌的门极驱动芯片是您最专业的选择。运用英飞凌完备的产品选型方案,消费者可以快速、高效的设计工业领域的任何系统。 电池驱动的应用 & CAV 无论是充电桩、低速电动车,还是服务机器人、无人机,英飞凌都提供可配置的半桥驱动与三相驱动芯片。配合英飞凌的功率MOSFET一起为用户提供高效的解决方案。除此之外,英飞凌还提供AEC-Q100标准的车用级门极驱动芯片,用于各类电动汽车。 在电池驱动的应用当中,节能是十分重要的一环。英飞凌的门极驱动芯片可以帮助消费者达到最高的精度与能源的最高效利用。 新能源—太阳能逆变器 太阳能光伏发电的最重要目标就是提高能源的利用率。哪怕只提高1%的能源利用率,对新能源企业的营收也能起到很大的改善作用。 英飞凌门极驱动选型 碳化硅SiC MOSFET驱动要求 碳化硅MOSFET具有极佳的快速开关性能,英飞凌提供1200伏的CoolSiC™碳化硅MOSFET以供客户选择。英飞凌的隔离型门极驱动,基于无铁芯变压器技术,以其强大的驱动能力和保护功能而著称,可以轻松地驱动1200伏的碳化硅MOSFET,并提供可靠的电气隔离。这些驱动器拥有许多驱动SiC MOSFET的关键优势,极短的传输延迟,精准的通道间匹配和输入滤波,超宽的输出范围和负电压驱动能力,以及极佳的共模瞬变抗扰度(CMTI)。
原文标题:应用指南 | 如何选择合适的栅极驱动芯片 文章出处:【微信号:yflgybdt,微信公众号:英飞凌工业半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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HMC-ALH382 低噪声放大器芯片,57 - 65 GHz

和特点 噪声系数: 3.8 dB P1dB: +12 dBm 增益: 21 dB 电源电压: +2.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 1.55 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH382是一款高动态范围、四级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为57至65 GHz。 HMC-ALH382具有21 dB小信号增益、4 dB噪声系数和+12 dBm输出功率(1 dB压缩),采用+2.5V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线局域网(LAN) 军事和太空 方框图...
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HMC-ALH369 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

和特点 出色的噪声系数: 2.0 dB 增益: 22 dB P1dB输出功率: +11 dBm 电源电压: +5V (66 mA) 裸片尺寸: 2.10 x 1.37 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH369是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至40 GHz。 该放大器提供22 dB增益,采用+5V/66 mA单偏置电源,噪声系数为2 dB。 由于尺寸较小(2.88 mm²),HMC-ALH369放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 相控阵 VSAT 卫星通信方框图...
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HMC342-DIE 低噪声放大器芯片,13 - 25 GHz

和特点 噪声系数: 3.5 dB 增益: 20 dB 单电源: +3V (36 mA) 小尺寸: 1.06 x 2.02 mm 产品详情 HMC342芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为13至25 GHz。 由于尺寸较小(2.14 mm²),该芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 该芯片采用GaAs PHEMT工艺制造而成,采用3 V (41 mA)单个偏置电源时提供20 dB增益,噪声系数为3.5 dB。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。 应用 微波点对点无线电 毫米波点对点无线电 VSAT 和 SATCOM方框图...
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HMC-ALH445 低噪声放大器芯片,18 - 40 GHz

和特点 噪声系数: 3.9 dB (28 GHz) 增益: 9 dB P1dB输出功率: +12 dBm (28 GHz) 电源电压: +5V (45 mA) 裸片尺寸: 1.6 x 1.6 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH445是一款GaAs MMIC HEMT自偏置宽带低噪声放大器芯片,工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供9 dB增益、3.9 dB噪声系数(28 GHz)和+12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+5V单电源时功耗仅为45 mA。 由于尺寸较小,HMC-ALH445放大器适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 宽带通信系统 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空 测试仪器仪表方框图...
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HMC-ALH310 低噪声放大器芯片,37 - 42 GHz

和特点 噪声系数: 3.5 dB P1dB: +12 dBm 增益: 22 dB 电源电压: +2.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 1.80 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH310是一款三级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为37至42 GHz。 HMC-ALH310具有22 dB小信号增益、3.5 dB噪声系数和+12 dBm输出功率(1 dB压缩),采用+2.5V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空方框图...
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HMC-ALH313 低噪声放大器芯片,27 - 33 GHz

和特点 噪声系数: 3.0 dB 增益: 20 dB P1dB输出功率: +12 dBm 电源电压: +2.5V (52 mA) 裸片尺寸: 1.80 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH313是一款三级GaAs MMIC HEMT低噪声放大器芯片,工作频率范围为27至33 GHz。 该放大器提供20 dB增益、3 dB噪声系数和+12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+2.5V电源电压时功耗仅为52 mA。 由于尺寸较小(1.30 mm²),该放大器芯片适合用作LNA或驱动放大器,并可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 测试设备和传感器 军事和太空方框图...
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HMC-ALH140 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

和特点 噪声系数: 4 dB 增益: 11.5 dB P1dB输出功率: +15 dBm 电源电压: +4V (60 mA) 裸片尺寸: 2.5 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH140是一款两级GaAs MMIC HEMT低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至40 GHz。 该放大器提供11.5 dB增益,采用+4V/66 mA偏置电源,噪声系数为4 dB。 由于尺寸较小(2.10 mm²),HMC-ALH140放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 卫星通信方框图...
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HMC-ALH244 低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz

和特点 噪声系数: 3.5 dB 增益: 12 dB P1dB输出功率: +13 dBm 电源电压: +4V (45 mA) 裸片尺寸: 2.50 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH244是一款两级GaAs MMIC HEMT低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至40 GHz。 该放大器提供12 dB增益、3.5 dB噪声系数,采用+4V电源电压时功耗仅为45 mA。 由于尺寸较小(3.5 mm2),HMC-ALH244放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 卫星通信方框图...
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HMC395 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 4 GHz

和特点 增益: 15 dB P1dB输出功率: +16 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC395芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC - 4 GHz放大器。 此款放大器芯片可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+17 dBm的HMC混频器LO。 HMC395提供16 dB的增益,+31 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供54mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC395可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
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HMC397 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

和特点 增益: 15 dB P1dB输出功率: +15 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC397芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至10 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC397提供15 dB的增益,+32 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC397可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
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HMC-ALH364 低噪声放大器芯片,24 - 32 GHz

和特点 出色的噪声系数: 2.0 dB 增益: 21 dB P1dB输出功率: +7 dBm 电源电压: +5V (68 mA) 裸片尺寸: 1.49 x 0.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH364是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频率范围为24至32 GHz。 该放大器提供21 dB增益、2 dB噪声系数和+7 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+5V单电源时功耗仅为68 mA。 由于尺寸较小(1.09 mm2),HMC-ALH364放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 卫星通信 方框图...
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HMC594-DIE 低噪声放大器芯片,2 - 4 GHz

和特点 增益平坦度: 0.2 dB 输出IP3: +36 dBm 增益: 10 dB 直流电源: +6V (100mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 1.32 x 1.21 x 0.10 mm 产品详情 HMC594是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)芯片,工作频率范围为2至4 GHz。 HMC594在整个工作频段内具有极平坦的性能特性,包括10dB小信号增益、2.6dB噪声系数和+36 dBm输出IP3。 由于尺寸较小、一致的输出功率和隔直RF I/O,这款多功能LNA非常适合MCM组件和混合应用。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度为0.31 mm (12 mils)的焊线连接。应用 固定微波 点对多点无线电 测试和测量设备 雷达和传感器 军事和太空方框图...
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HMC405 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 10 GHz

和特点 增益: 16 dB P1dB输出功率: +13 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC405芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至10 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+17 dBm的HMC混频器LO。 HMC405提供16 dB的增益,+32 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供50 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC405可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
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HMC635-DIE 驱动放大器芯片,18 - 40 GHz

和特点 增益: 19.5 dB P1dB: +23 dBm 输出IP3: +29 dBm 饱和功率:+24 dBm (15% PAE) 电源电压: +5V (280 mA) 50 Ω匹配输入/输出< 裸片尺寸: 1.95 x 0.84 x 0.10 mm 产品详情 HMC635是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器裸片,工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供19.5 dB的增益,+29 dBm输出IP3及+23 dBm的输出功率(1 dB增益压缩时),功耗为280 mA(+5V电源)。 HMC635非常适合作为微波无线电应用的驱动放大器,或用作工作频率范围为18至40 GHz的混频器LO放大器,可提供高达+24 dBm的饱和输出功率(15% PAE)。 隔直放大器I/O内部匹配50 Ω,非常适合集成到多芯片模块(MCM)中。 所有芯片数据均利用芯片获取,其通过两个长度为500 μm的1 mil线焊连接输入和输出RF端口。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 混频器用LO驱动器 军事和太空 方框图...
发表于 02-15 18:43 0次 阅读
HMC635-DIE 驱动放大器芯片,18 - 40 GHz

HMC649A HMC649A/HMC649LP6 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,3 GHz至6 GHz

和特点 低RMS相位误差: 3度 低插入损耗: 6.5 dB至8 dB 高线性度: 44 dBm 正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 4.5 mm x 1.9 mm x 0.1 mm 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36 mm² 产品详情 components.HMC649A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为3 GHz至6 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC649A在所有相态具有3度的低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC649A采用紧凑型6 mm x 6 mm无引脚SMT塑料封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
发表于 02-15 18:43 4次 阅读
HMC649A HMC649A/HMC649LP6 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,3 GHz至6 GHz

HMC648A HMC648A/HMC648ALP6E 6位数字移相器芯片,采用SMT封装,2.9 GHz至3.9 GHz

和特点 低RMS相位误差: 1.2度 低插入损耗: 5 dB 高线性度: 45 dBm 正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 3.27 mm x 1.90 mm x 0.1 mm 28引脚QFN无铅SMT封装: 36 mm²产品详情 HMC648A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为2.9 GHz至3.9 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC648A在所有相态具有1.2度至1.5度的极低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC648A采用紧凑型6 mm x 6 mm塑料无铅SMT封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消方框图...
发表于 02-15 18:43 6次 阅读
HMC648A HMC648A/HMC648ALP6E 6位数字移相器芯片,采用SMT封装,2.9 GHz至3.9 GHz

HMC642A HMC642A/HMC642LC5 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,9 GHz至12.5 GHz

和特点 低RMS相位误差: 2.5度至3.5度 低插入损耗: 6.5 dB至7 dB 高线性度: 41 dBm 正控制电压和正控制逻辑 360度覆盖,LSB = 5.625度 裸片尺寸: 3.25 mm x 1.9 mm x 0.1 mm 32引脚SMT陶瓷封装: 25 mm² 产品详情 HMC642A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为9 GHz至12.5 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC642A在所有相态具有2.5度至3.5度的极低RMS相位误差及±0.25 dB至±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC642A采用紧凑型5 mm x 5 mm无引脚SMT陶瓷封装,内部匹配50 Ω,无需任何外部元件。应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
发表于 02-15 18:43 6次 阅读
HMC642A HMC642A/HMC642LC5 6位数字移相器芯片和采用SMT封装,9 GHz至12.5 GHz

HMC913-DIE 连续检波对数视频放大器(SDLVA)芯片,0.6 - 20 GHz

和特点 高对数范围: 59 dB(-54至+5 dBm,18 GHz) 输出频率平坦度: ±1.5 dB 对数线性度: ±1 dB 快速上升/下降时间: 5/10 ns 单正电源: +3.3V ESD灵敏度(HBM): 1A级 产品详情 HMC913是一款连续检波对数视频放大器(SDLVA),工作频率范围为0.6至20 GHz。 HMC913提供59 dB的对数范围。 该器件提供5/10 ns的典型快速上升/下降时间,延迟时间仅14 ns。 HMC913对数视频输出斜率为14 mV/dB(典型值)。 最大恢复时间不到30 ns。 HMC913非常适合高速通道接收机应用,采用+3.3 V单电源供电,功耗仅为80 mA。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 Applications EW、ELINT和IFM接收机 DF雷达系统 ECM系统 宽带测试和测量 功率测量和控制电路 军事和太空应用 方框图...
发表于 02-15 18:41 4次 阅读
HMC913-DIE 连续检波对数视频放大器(SDLVA)芯片,0.6 - 20 GHz

HMC694-DIE 模拟可变增益放大器芯片,6 - 17 GHz

和特点 宽增益控制范围: 23 dB 单控制电压 输出IP3(最大增益): +30 dBm 输出P1dB: +22 dBm 无需外部匹配 裸片尺寸: 2.26 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC694是一款GaAs MMIC PHEMT模拟可变增益放大器裸片,工作频率范围为6至17 GHz。 该放大器非常适合微波无线电应用,提供高达24 dB增益、22 dBm输出P1dB、30 dBm输出IP3(最大增益时),同时在+5V电源下功耗仅为170 mA。 提供栅极偏置(Vctrl)使可变增益控制高达23 dB。 HMC694在6至17 GHz范围内的增益平坦度非常出色,因而非常适合EW、ECM和雷达应用。 由于尺寸较小且无需外部匹配,HMC694可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均通过50 Ω测试夹具中的芯片获取,通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度为0.31 mm (12 mil)的线焊连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 EW和 ECM X频段雷达 测试设备 方框图...
发表于 02-15 18:38 6次 阅读
HMC694-DIE 模拟可变增益放大器芯片,6 - 17 GHz

传华为将部分芯片生产转移至南京工厂

由于美国方面对于华为发起了刑事诉讼,为避免未来可能遭遇的供应链被切断的问题,最新的消息显示,华为目前....
的头像 芯智讯 发表于 02-15 16:56 883次 阅读
传华为将部分芯片生产转移至南京工厂

一波小微企业普惠性减税措施落地,或给实体LED企业注入新的活力

另外,越来越多上市公司股东通过股权质押方式获得现金流,几乎到了“无股不押”的程度。在LED行业内,绝....
的头像 高工LED 发表于 02-15 15:55 303次 阅读
一波小微企业普惠性减税措施落地,或给实体LED企业注入新的活力

芯片公司表示预计2019年可能会触及周期底部 半导体行业的低迷周期可能比预期短得多

瑞士信贷(Credit Suisse)董事总经理、台湾股票研究主管Randy Abrams表示,许多....
的头像 半导体动态 发表于 02-15 15:55 586次 阅读
芯片公司表示预计2019年可能会触及周期底部 半导体行业的低迷周期可能比预期短得多

中芯国际宣布14nm工艺进入客户验证阶段 12nm工艺开发取得突破

2月14日,国内晶圆代工大厂中芯国际发布2018年第四季度业绩,宣布14nm工艺进入客户验证阶段,且....
的头像 半导体动态 发表于 02-15 15:25 620次 阅读
中芯国际宣布14nm工艺进入客户验证阶段 12nm工艺开发取得突破

SF16A18国产路由器芯片打破了国外无线路由芯片垄断局面

我们如今身处在一个网络化的社会中,手机、电脑以及各种移动终端让我们离不开无线网络,路由器几乎部署在了....
发表于 02-15 13:43 254次 阅读
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快讯:英特尔扩大爱尔兰产能,投资70亿欧元新建两芯片厂

英特尔公司的爱尔兰总经理思诺特(Eamonn Snutt)表示:「英特尔爱尔兰公司向基尔代尔县议会提....
的头像 高工智能未来 发表于 02-15 11:10 366次 阅读
快讯:英特尔扩大爱尔兰产能,投资70亿欧元新建两芯片厂

联发科技推出了支持下一代WiFi技术Wi-Fi 6(802.11ax)的智能连接芯片组

当你走进家门,灯会自动开启,甚至电视会自动打开,播放你最喜欢的节目。而当你准备睡觉时,灯的亮度会自动....
的头像 联发科技 发表于 02-15 10:54 1811次 阅读
联发科技推出了支持下一代WiFi技术Wi-Fi 6(802.11ax)的智能连接芯片组

Moto P40配置曝光 搭载Exynos 9610芯片

集微网消息,近日有外媒曝光了 Moto 新机 P40 的参数。而在 Moto P40 的参数中,笔者....
的头像 MCA手机联盟 发表于 02-15 10:16 473次 阅读
Moto P40配置曝光 搭载Exynos 9610芯片

韩最高法院起诉高通违反贸易公平法,涉嫌垄断的案子有了新进展

KFTC认为高通滥用市场垄断地位,在销售芯片时强迫手机制造商为一些不必要的专利支付费用,同时他们还拒....
的头像 芯智讯 发表于 02-15 10:13 721次 阅读
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英飞凌与LG合作研发ToF前摄手机

日前,英飞凌宣布为LG G8 ThinQ 手机 提供REAL3™ 图像传感芯片,助力 G8 Thin....
的头像 英飞凌中国 发表于 02-15 09:50 627次 阅读
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吴江区新春重大项目集中开工 总投资达283亿元

据“今吴江”报道,2月13日,苏州吴江新区(盛泽镇)举行2019年吴江区新春重大项目集中开工活动,3....
的头像 半导体动态 发表于 02-14 16:50 442次 阅读
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深圳市发改委组织征集2019年人工智能项目 将围绕多个领域推动人工智能融合创新应用

2018年,广东省正式发布《广东省新一代人工智能发展规划》,将推动多个人工智能产业集约集聚发展,其中....
的头像 半导体动态 发表于 02-14 16:37 614次 阅读
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探访我国首条压敏传感芯片生产车间

12年坚持终圆芯片制造梦,探访我国首条压敏传感芯片生产车间作为湖南省重点项目。
的头像 MEMS 发表于 02-14 14:32 497次 阅读
探访我国首条压敏传感芯片生产车间

华为去年半导体支出暴增45% 仅次于三星和苹果

市场研究公司Gartner Inc日前指出,中国网络设备和智能手机供应商华为去年的半导体支出暴增45....
的头像 EDA365 发表于 02-14 14:24 1205次 阅读
华为去年半导体支出暴增45% 仅次于三星和苹果

亚马逊的芯片大局,亚马逊从软到硬的背后

据亚马逊官方介绍,AWS Inferentia提供数百 TOPS(每秒万亿次运算)推理吞吐量,以允许....
的头像 传感器技术 发表于 02-14 13:58 709次 阅读
亚马逊的芯片大局,亚马逊从软到硬的背后

2万亿进口额背后的中国芯发展历程

2018年底,工信部设立的国家集成电路产业基金开始了第二轮募集资金,预计筹资总规模为1500亿~20....
的头像 中关村集成电路设计园 发表于 02-14 13:53 627次 阅读
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新兴手机市场芯片之王,5G+AI今年落地

对于5G来说同样如此,5G从商用到普及是一个系统工程,首先需要的是网络的基本覆盖,大量的配套到位,才....
的头像 第一手机界 发表于 02-14 11:11 754次 阅读
新兴手机市场芯片之王,5G+AI今年落地

nRF51 DK板载的开发指导手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是nRF51 DK板载的开发指导手册免费下载。
发表于 02-14 08:00 17次 阅读
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智能无线耳机前景看好 去手机化将成2019年发展关键点

2018年,全球智能无线耳机零售市场规模达到新高点。2019年的智能无线耳机市场,去手机化成为智能无....
发表于 02-14 08:00 348次 阅读
智能无线耳机前景看好 去手机化将成2019年发展关键点

Altium designer批量导入引脚的详细资料说明

随着集成电路的发展,芯片的管脚数量越来越多。比如xilinx V6 系列的FPGA 芯片动辄上千管脚....
发表于 02-13 17:18 34次 阅读
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xilinx的FPGA芯片选型手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是xilinx的FPGA芯片选型手册免费下载
发表于 02-13 17:16 37次 阅读
xilinx的FPGA芯片选型手册免费下载

我国首条压敏传感芯片生产线在浏阳高新区成功通线 年产值将超过150亿元

据新湖南客户端报道,我国首条具有完全自主知识产权的压敏传感芯片生产线已于1月16日在浏阳高新区成功通....
的头像 半导体动态 发表于 02-13 16:23 367次 阅读
我国首条压敏传感芯片生产线在浏阳高新区成功通线 年产值将超过150亿元

Nichia首次展出工业用激光与UVLED产品

Photonics West 2019为光电业规模最大,参观者最为集中的国际光电展,每年一度在旧金山....
的头像 CNLED网 发表于 02-13 14:10 274次 阅读
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探讨国外人工智能芯片发展状况

人工智能芯片作为终端实现人工智能算法的载体,是实现人工智能技术创新的重要基础;同时,作为人工智能时代....
的头像 全球技术地图 发表于 02-13 13:56 618次 阅读
探讨国外人工智能芯片发展状况

请问有认识图中芯片的吗?

最近研究一个东西,遇到一款芯片,有没有大神知道这是哪个系列的芯片?芯片的大小尺寸是:1.1mm*2.1mm。...
发表于 02-13 10:53 30次 阅读
请问有认识图中芯片的吗?

后摩尔定律世界存在怎样的新问题

加速器已经无处不在:世界上的比特币是由旨在加速这种加密货币的关键算法的芯片采矿得来,几乎每一种能发出....
的头像 IEEE电气电子工程师学会 发表于 02-13 10:16 238次 阅读
后摩尔定律世界存在怎样的新问题

比40台基于GPU的服务器更牛的是什么?一台有40个GPU的服务器!

与芯片本身内部的互连相比,这些链路吸收能量并且速度慢。 更重要的是,由于芯片和印刷电路板的机械特性之....
的头像 新智元 发表于 02-13 10:04 382次 阅读
比40台基于GPU的服务器更牛的是什么?一台有40个GPU的服务器!

LG与英飞凌推出采用前置飞行时间摄像头的LG G8ThinQ手机

英飞凌REAL3™图像传感器芯片在即将推出的LG G8ThinQ的前置摄像头中扮演关键角色,LG G....
发表于 02-13 10:03 174次 阅读
LG与英飞凌推出采用前置飞行时间摄像头的LG G8ThinQ手机

新iPhone芯片A13第二季度量产 台积电再次独揽

11日消息,尽管芯片代工巨头台积电今年很可能依旧是苹果最新 A 系列芯片的独家代工商,但是该公司还是....
的头像 高工智能未来 发表于 02-13 08:51 454次 阅读
新iPhone芯片A13第二季度量产 台积电再次独揽

全球第三大芯片买家落定,华为即将赶超苹果与三星

近几年,华为智能手机的市场规模正快速增长,随着市场对智能手机需求量的增加,对于华为芯片的需求也逐渐攀....
的头像 电子魔法师 发表于 02-12 17:38 1469次 阅读
全球第三大芯片买家落定,华为即将赶超苹果与三星

Zynq-7000可编程SOC芯片组合产品表的资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是Zynq-7000可编程SOC芯片组合产品表的资料免费下载。
发表于 02-12 16:07 30次 阅读
Zynq-7000可编程SOC芯片组合产品表的资料免费下载

0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片选型

最近需要一款0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片,有什么好推荐的吗...
发表于 01-29 10:35 84次 阅读
0-3.3V输入,4-20mA输出,3.3V或5V或12V供电的芯片选型

请问用什么12V降5V的芯片比较好?

用什么12 V降5V的芯片比较好?
发表于 01-28 06:36 79次 阅读
请问用什么12V降5V的芯片比较好?

推荐一个和M74HC138 PIN对PIN的芯片型号?

推荐一个和M74HC138 PIN对PIN的芯片型号?
发表于 01-24 15:01 333次 阅读
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请问软件读出来的信息怎么看批次

C:\Users\Tom.chan\Desktop用软件读出以下信息,怎么能看出芯片的生产日次(年+周) CPU 96bits ID: 0X30343934...
发表于 01-24 08:22 234次 阅读
请问软件读出来的信息怎么看批次

一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?

芯片管脚有两组UART,一组UART_TX,UART_RX。一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?都是作为I/O...
发表于 01-23 11:23 244次 阅读
一组 UART_CTS,UART_RTS,这有什么区别?

以太网控制器外部PHY芯片模拟程序代码实现

模拟程序模拟了简化的 LXT971A 芯片(Inter 公司的外部 PHY 芯片)。PHY 芯片通过 MIIM(媒体无关接口管理模块)...
发表于 01-18 14:20 179次 阅读
以太网控制器外部PHY芯片模拟程序代码实现

请问HMC681A芯片手册里的Relative Phase这个指标是什么意思?

问题如题。在校学生做项目遇到问题请大家帮忙回答...
发表于 01-18 09:34 75次 阅读
请问HMC681A芯片手册里的Relative Phase这个指标是什么意思?