电子发烧友网 > LEDs > 正文

我国中红外宽谱光源阵列获新进展

2018年12月05日 15:11 次阅读
近日,国际半导体产业杂志Semiconductor Today报道了中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张子旸课题组与中国科学院半导体研究所刘峰奇、王占国实验室合作研制中红外宽谱光源阵列的最新成果。该成果发表在Optics Letters上。 中红外宽谱光源基于半导体量子级联材料,光源的有源层由30个重复的级联周期组成,各周期之间通过低掺杂的n型InGaAs分隔开。研究人员所设计的有源区能带结构如图1所示,它采用了双声子共振结构,一个周期的有源区包含四个耦合的应变补偿In0.678Ga0.322As/In0.365Al0.635As量子阱。这种结构通过两次光学声子辅助弛豫来实现更高效的低能级载流子抽运,从而增大粒子数反转,提高自发辐射效率。使用这种材料结构的宽谱光源具有阈值电流密度更低、输出功率更高等优势。