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苹果6亿美元买通Dialog电源IC技术

2018年10月11日 16:18 次阅读
  对于一部手机来说,电源的重要性要放在许多硬件前面。因为在目前的智能手机上面,电池是制约手机性能高速发展的重要一环。在电池技术没有很大的突破的时候,如何用先进的电源管理技术,控制手机电量的消耗,俨然成为手机厂商发展的重点。   而在这一块方面,苹果则是领先许多厂商很多。众所周知的原因,得益于iOS系统的出色优化,iPhone在待机的时候,很少会出现很大的电量消耗(当然,玩游戏则另说)。从这一代的iPhone XS系列上,苹果开始摆脱第三方厂商的制约,用上了自家的电源管理IC,保证自家的话语权。   在苹果用自家的电源管理IC之前,他们的产品电源IC都多用于Dialog公司,后者自称是全球最大的电源管理芯片制造商,主要面向智能手机、IoT设备提供服务。 苹果6亿美元买通Dialog电源IC技术   就在今天,Dialog公司对外宣布,已经与苹果达成深入合作。苹果将以6亿美元的代价,买通了Dialog公司的电源管理技术、部分资产以及300名研发工程师。   在这笔交易上,苹果将先付3亿美元现金,并为后续三年(2019~2021)的采购的产品提前预付3亿美元,包括电源管理、音频子系统、充电和其他混合信号IC的开发和供应。   不得不说,手持着大量现金的苹果,随便买买买还真是一点压力都没有。

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UCC27712-Q1是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有1.8A拉电流,2.8A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于功率MOSFET,建议的VDD工作电压为10V至17V。 UCC27712-Q1包含保护功能,在此情况下,当输入保持开路状态时,或未未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至22V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 < p>该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO)后器专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟和两个通道之间卓越的延迟匹配。在UCC27712-Q1上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 符合面向汽车应用的AEC-Q100标准 器件HBM分类等级1C 器件CDM分类等级C4B 高侧和低侧配置 双输入,带输...
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UCC27712-Q1 具有互锁功能的汽车类 6...

SM74104 High Voltage Hal...

SM74104高压栅极驱动器设计用于驱动采用同步降压配置的高侧和低侧N沟道MOSFET。该悬空高侧驱动器能够在高达100V的电源电压下工作。高侧和低侧栅极驱动器由单个输入控制。该器件采用自适应方式来控制每一个状态变化,从而避免发生击穿。除了自适应转换时序之外,还可以添加与外部设置电阻成比例的附加延时。该器件集成了一个高压二极管,用于对高侧栅极驱动自举电容进行充电。稳健可靠的电平转换器同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。 特性 可再生能源等级 可驱动高侧和低侧N沟道金属氧化物半导体场效应应晶体管( (MOSFET) 具有可编程附加延迟的自适应上升沿和下降沿 单输入控制 自举电源电压高达118VDC < li>短暂关断传播延迟(典型值为25ns) 可以15ns的上升和下降时间驱动1000pF负载 电源轨欠压锁定 典型应用 电流反馈推挽式电源转换器 高电压降压稳压器 有源钳位正激电源转换器 半桥和全桥转换器 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Channels (#) Power S...
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SM74104 High Voltage Hal...

UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 ...

UCC27528-Q1器件是一款双通道,高速,低侧栅极驱动器,能够高效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关.UCC27528-Q1器件采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供高达5A的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为17ns)。除此之外,此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极输入引脚阈值基于CMOS逻辑,此逻辑是VDD电源电压的一个函数。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗噪性。使能引脚基于TTL和COMS兼容逻辑,与VDD电源电压无关。 UCC27528-Q1是一款双通道同相驱动器。当输入引脚处于悬空状态时,UCC27528-Q1器件可UCC27528-Q1器件特有使能引脚(ENA和ENB),能够更好地控制此驱动器应用的运行。这些引脚内部上拉至VDD电源以实现高电平有效逻辑运行,并且可保持断开连接状态以实现标准运行。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100器件温度等级1 工业标准引脚分配 两个独立的栅极驱动通道 5A峰值供源和吸收驱动电流 互补金属氧化...
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UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 ...

UCC27211A 120-V Boot, 4-...

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。&gt; UCC27211A的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210A(a CMOS输入)和UCC27211A(TTL输入)已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的,并且在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平...
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UCC27211A 120-V Boot, 4-...

UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速...

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载,此电容负载提供了轨到轨驱动的双极型晶体管(IGBT)开关。借助于固有的大大减少击穿电流的设计能力以及极小传播延迟(典型值为17ns)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在VDD = 12V时提供4A拉电流和4A灌电流(对称驱动)峰值驱动电流功能。 /p> UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C到140°C的宽温度范围内运行.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路保持VDD运行范围之外的输出低电平。能够运行在诸如低于5V的低电压电平上,连同同类产品中最佳的开关特性,使得此器件非常适合于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供(只用于预览)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的输入引脚阀值基于CMOS逻辑电路,此逻辑电路的阀值电压是VDD电源电压的函数。通常情况下,输入高阀值(V IN-H )是V DD 的55%,而输入低阀值(V IN-L...
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UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速...

UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q...

UCC27211A-Q1器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 < p>峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC27211A-Q1的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27211A-Q1已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。 UCC27211A-Q1器件采用8引脚SO-...
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UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q...

TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功...

TPS51604-Q1驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有精简死区时间驱动和自动零交叉等高级特性,可用于在整个负载范围内优化效率。 SKIP 引脚提供立即CCM操作以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604-Q1还支持两种低功耗模式。借助于三态PWM输入,静态电流可减少至130μA,并支持立即响应。当跳过保持在三态时,电流可减少至8μA。此驱动器与适当的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604-Q1器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至125°C。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: 器件温度等级1:-40°C至125°C 器件人体模型静电放电(ESD)分类等级H2 器件的充电器件模型ESD分类等级C3B 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V...
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TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功...

UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 ...

UCC27532-Q1是一款单通道高速栅极驱动器,此驱动器可借助于高达2.5A的源电流和5A的灌电流(非对称驱动)峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和IGBT电源开关。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒接通效应的能力.UCC27532-Q1器件还特有一个分离输出配置,在此配置中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌入。这个引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚采用独立的接通和关闭电阻器,并且能很轻易地控制开关的转换率。 此驱动器具有轨到轨驱动功能以及17ns(典型值)的极小传播延迟。 UCC27532-Q1器件具有CMOS输入阀值,此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55%的电压值与比VDD低45%的电压值范围内。当VDD高于18V时,输入阀值保持在其最大水平上。 此驱动器具有一个EN引脚,此引脚有一个固定的TTL兼容阀值.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁用驱动器,而将其保持打开可提供正常运行。EN引脚可被用作一个额外输入,其性能与IN引脚一样。 将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平。此驱动器的逻辑运行方式显示在,,和中。 VDD引脚...
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UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 ...

UCC27516 4A/4A Single Ch...

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...
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UCC27516 4A/4A Single Ch...

UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速...

UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。采用本质上最小化直通电流的设计,这些驱动器在MOSFET开关转换期间在Miller平台区域提供最需要的4A电流。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的电流源和灌电流。 该器件采用标准SOIC-8(D)封装。 特性 符合汽车应用要求 行业标准引脚 高电流驱动能力±4位于Miller Plateau Region的 即使在低电源电压下也能实现高效恒流源 TTL和CMOS兼容输入独立于电源电压 典型上升时间为20 ns,典型下降时间为15 ns,负载为1.8 nF 典型传播延迟时间为25 ns,输入下降,输入时间为35 ns上升 电源电压为4 V至15 V 供电电流为0.3 mA 双输出可以并联以获得更高的驱动电流 额定值从T J = -40°C至125°C TrueDrive输出架构使用并联双极晶体管和CMOS晶体管 参数 与其它产品相比 低侧驱动器   Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Time (ns) Fall Time (ns) Prop Delay (ns) Input T...
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UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速...

LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半桥配置的通道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达100 V的电源电压下工作.A版本提供完整的3-A栅极驱动,而B和C版本分别提供2 A和1 A.输出由CMOS输入阈值(LM5100A /B /C)或TTL输入阈值(LM5101A /B /C)独立控制。 提供集成高压二极管为高端栅极充电驱动自举电容。稳健的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定。这些器件采用标准SOIC-8引脚,SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装。 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封装。 LM5101A还提供WSON-8引脚封装。 特性 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET ...... 独立高低 - 驱动器逻辑输入 自举电源电压高达118 V DC 快速传播时间(典型值为25 ns) 驱动1000-pF负载,8- ns上升和下降时间 优秀的传播延迟匹配(3 ns 典型值) 电源轨欠压锁定 低功耗< /li> 引脚与HIP2100 /HIP2101兼容 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Ch...
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LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向...

TPS2811双通道高速MOSFET驱动器能够为高容性负载提供2 A的峰值电流。这种性能是通过一种设计实现的,该设计本身可以最大限度地减少直通电流,并且比竞争产品消耗的电源电流低一个数量级。 TPS2811驱动器包括一个稳压器,允许在14 V和14 V之间的电源输入工作。 40 V.稳压器输出可以为其他电路供电,前提是功耗不超过封装限制。当不需要稳压器时,REG_IN和REG_OUT可以保持断开状态,或者两者都可以连接到V CC 或GND。 TPS2811驱动器采用8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度范围内工作。 特性 符合汽车应用要求 行业标准驱动程序更换 25-ns Max Rise /下降时间和40-ns Max 传播延迟,1-nF负载,V CC = 14 V 2-A峰值输出电流,V CC < /sub> = 14 V 输入电压高或低的5μA电源电流 4 V至14 V电源电压范围;内部调节器将范围扩展至40 V -40°C至125°C环境温度工作范围 参数 与其它产品相比 低侧驱动器   Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Tim...
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TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向...

UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极...

UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 UCC27511特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流,8A灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生,米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置,其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出,通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...
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UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极...

UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极...

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...
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UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极...

UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 ...

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...
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UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 ...

UCC27538 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
发表于 2018-10-16 11:19 0次阅读
UCC27538 栅极驱动器

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压...

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...
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UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压...

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流...

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...
发表于 2018-10-16 11:19 10次阅读
UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流...

UCC27710 具有互锁功能的 620V 0....

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...
发表于 2018-10-16 11:19 4次阅读
UCC27710 具有互锁功能的 620V 0....

UCC27533 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
发表于 2018-10-16 11:19 4次阅读
UCC27533 栅极驱动器

UCC27531 2.5A、5A、40VMAX ...

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
发表于 2018-10-16 11:19 2次阅读
UCC27531 2.5A、5A、40VMAX ...

TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用...

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Channels (#) ...
发表于 2018-10-16 11:19 4次阅读
TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用...

苹果下大单,台积电股价上涨创历史新高

据外媒报道,全球最大芯片代工商台积电近期顺风顺水,今年以来股价已经累计上涨32%,创下历史新高,表现...
发表于 2018-10-16 10:39 695次阅读
苹果下大单,台积电股价上涨创历史新高

iPhoneXR仅仅两天破87万预约量 廉价版i...

苹果iPhone XR于上周六在京东开启预约,仅仅过了两天,这款“廉价”版苹果手机就已经在京东获得8...
发表于 2018-10-16 08:39 849次阅读
iPhoneXR仅仅两天破87万预约量 廉价版i...

基于芯片角度来解决和优化电源管理系统

发表于 2018-10-15 18:45 51次阅读
基于芯片角度来解决和优化电源管理系统

三星和苹果的高端机创新不足,华为mate20遇冲...

说到国产手机,都知道华为是其中的领头羊,而它也将赶超苹果和三星作为目标,在当前三星和苹果的高端机创新...
发表于 2018-10-15 16:57 294次阅读
三星和苹果的高端机创新不足,华为mate20遇冲...

三星雄踞智能手机全球出货量第一宝座,超越第二名苹...

虽说这两年三星手机在国内的销量和占比难看得不行,但并不影响三星手机质量以及实际的总销量表现。
发表于 2018-10-15 16:33 157次阅读
三星雄踞智能手机全球出货量第一宝座,超越第二名苹...

芯片级安全没有终点,探秘“间谍芯片”重重疑云

10月5日起,一则“苹果、亚马逊被卷入,中国黑客利用微芯片入侵美国”的消息不胫而走,消息所波及的中美...
发表于 2018-10-15 15:31 548次阅读
芯片级安全没有终点,探秘“间谍芯片”重重疑云

台积电将拿下苹果A13的全部订单,爱立信预计20...

至于5G与4G之间的关系,张至伟表示,远不同于4G与3G之间直接取代的关系,4G与5G之间更多是互补...
发表于 2018-10-15 14:51 544次阅读
台积电将拿下苹果A13的全部订单,爱立信预计20...

台积电获2019年苹果A13芯片的独家订单 全球...

10月13日消息,据国外媒体报道,台湾芯片代工制造商台积电(TSMC)获得了苹果2018年所有用于最...
发表于 2018-10-15 14:11 449次阅读
台积电获2019年苹果A13芯片的独家订单 全球...

苹果想“自己干”的态度越来越明显了

自第一款iPhone问世以来,苹果一直在与Dialog Semiconductor合作。根据Dial...
发表于 2018-10-15 11:06 527次阅读
苹果想“自己干”的态度越来越明显了

苹果A13芯片订单花落台积电 台积电未来全球市场...

台媒Digitimes援引产业链人士的消息称,近期苹果确认了2019年A13芯片全数交给了台积电。此...
发表于 2018-10-15 10:30 1172次阅读
苹果A13芯片订单花落台积电 台积电未来全球市场...

9月手机厂商全球出货量公布,苹果超华为重回全球第...

随着华为等国产手机品牌的强势崛起,无论是在销量上还是在国际影响力上,都有所提高,日前,一家数据调研机...
发表于 2018-10-15 10:06 765次阅读
9月手机厂商全球出货量公布,苹果超华为重回全球第...

苹果3亿美元现金收购欧洲芯片制造商Dialog部...

近日,中国科学院上海光学精密机械研究所在繁昌县设立芜湖激光应用示范中心,以推动繁昌3D打印产业向更高...
发表于 2018-10-15 09:34 785次阅读
苹果3亿美元现金收购欧洲芯片制造商Dialog部...

苹果这次没当“渣男”,收了Dialog

此前,苹果的电源IC多来自Dialog Semiconductor,后者号称全球最大的电源管理芯片制...
发表于 2018-10-15 09:30 413次阅读
苹果这次没当“渣男”,收了Dialog

iOS12内占率达53% 或成苹果两年来最成功的...

上周,一家第三方分析公司表示,iOS 12已经在47.54%的苹果设备上运行。日前调研机构Cuper...
发表于 2018-10-15 09:03 534次阅读
iOS12内占率达53% 或成苹果两年来最成功的...

9月份全球手机厂商出货量出炉,苹果反超华为

从9月份全球手机厂商出货量排名上来看,三星仍然是第一名,而且大幅度领先其他手机厂商,三星九月份的出货...
发表于 2018-10-14 12:49 225次阅读
9月份全球手机厂商出货量出炉,苹果反超华为

苹果与Imagination说“分手”,Dial...

苹果最近几年在自主研发芯片的道路上越走越远,连三星也跟着起了自研GPU的念头。虽说自研芯片可以让自己...
发表于 2018-10-14 11:17 590次阅读
苹果与Imagination说“分手”,Dial...

苹果斥资6亿美元收购Dialog电池管理芯技术与...

10月11日,苹果(Apple)表示以6亿美元收购电源管理芯片供应商Dialog Semicondu...
发表于 2018-10-14 11:04 803次阅读
苹果斥资6亿美元收购Dialog电池管理芯技术与...

富士康收入创造历史记录 并未受苹果新手机高价格影...

富士康集团一位高管表示,无论是三季度还是今年前三季度,富士康的收入都创造了历史记录。
发表于 2018-10-14 09:57 1254次阅读
富士康收入创造历史记录 并未受苹果新手机高价格影...

自动驾驶的发展前景到底如何,看自动驾驶行业的现在...

自动驾驶究竟有多火?看看现在众多巨头、独角兽及初创公司纷纷入局的态势就能略窥一二。而基于每家公司自身...
发表于 2018-10-14 09:32 920次阅读
自动驾驶的发展前景到底如何,看自动驾驶行业的现在...

iPad Pro使用USB-C接口,是一件必然的...

现如今的iOS系统,已经成为了泄密苹果新品最快最准确的来源,比如即将发布的iPad Pro新版,在i...
发表于 2018-10-13 11:14 287次阅读
iPad Pro使用USB-C接口,是一件必然的...

安卓之父正研发AI手机 美光投资1亿美元押宝A...

10月11日消息 苹果一直在投入相当大的精力,打造速度更快、效率更高的芯片。如今,苹果正朝着这一战略...
发表于 2018-10-13 10:14 801次阅读
安卓之父正研发AI手机  美光投资1亿美元押宝A...

可穿戴系统电源管理的优化策略

发表于 2018-10-12 17:10 78次阅读
可穿戴系统电源管理的优化策略

电源管理在可穿戴便携产品中的应用方案

发表于 2018-10-12 17:01 69次阅读
电源管理在可穿戴便携产品中的应用方案

电源管理IC的8种类型简介

发表于 2018-10-11 16:09 84次阅读
电源管理IC的8种类型简介

怎么通过高压创新重新定义电源管理

发表于 2018-10-11 16:05 110次阅读
怎么通过高压创新重新定义电源管理

浅谈手机的电源管理设计要点及方法

发表于 2018-10-10 17:37 52次阅读
浅谈手机的电源管理设计要点及方法

DA14585是目前全球尺寸最小、功耗最低和集成度最高的蓝牙5.0 SoC

发表于 2018-10-09 17:35 166次阅读
DA14585是目前全球尺寸最小、功耗最低和集成度最高的蓝牙5.0 SoC