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FinFET布局和布线要经受的重大考验 FinFET布局和布线要经受的重大考验 随着高级工艺的演进,电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。 类别:接口/时钟/PLL 2017-05-04 标签:finfet布线
详解先进的半导体工艺之FinFET 详解先进的半导体工艺之FinFET FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。 类别:工艺综述 2017-02-04 标签:FinFET半导体工艺
车用SoC如何克服多重图形与FinFET挑战 车用SoC如何克服多重图形与FinFET挑战 有两款车用系统单芯片(SoC)成为数位处理器议程中最有趣、最由联发科(MediaTek)与AMD所发表的最新智能型手机与PC处理器内含更多核心、采用更激... 类别:汽车电子控制 2016-02-26 标签:汽车电子车联网SoC
帮你看懂已经全面攻占iPhone的FinFET 帮你看懂已经全面攻占iPhone的FinFET 打开这一年来半导体最热门的新闻,大概就属FinFET了,例如:iPhone 6s内新一代A9应用处理器采用新晶体管架构很可能为鳍式晶体管(FinFET)... 类别:模拟技术 2015-09-18 标签:MOSFETFinFET
SoC系统开发人员:FinFET对你来说意味着什么? SoC系统开发人员:FinFET对你来说意味着什么? 大家都在谈论FinFET——可以说,这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜 (FDSOI... 类别:FPGA/ASIC技术 2013-12-09 标签:FinFETMOSFETSoC
传统过孔数显著增加 条状过孔成大势所趋 传统过孔数显著增加 条状过孔成大势所趋 对于28纳米及以下节点,各种新的设计要求使我们不得不调整传统的数字电路板图设计和验证流程。尤其值得一提的是,过孔的使用受到了很大的影响。新的过孔类型已推... 类别:PCB制造相关 2013-09-02 标签:FinFET28nm
如何选择满足FPGA设计需求的工艺? 如何选择满足FPGA设计需求的工艺? 当今的可编程逻辑供应商必须研究各种工艺选择,才能满足采用FPGA的设计的各类需求。本文将介绍三类工艺特性,它们与现代FPGA内部结构的联系,以及FPGA... 类别:FPGA/ASIC技术 2013-06-13 标签:IntelTSMCAltera
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格芯交付性能领先的7纳米FinFET技术在即 格芯交付性能领先的7纳米FinFET技术在即 加利福尼亚,圣克拉拉(2017年6月14日)—— 格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术,其40%的跨越式性能提升将满足... 类别:制造新闻 2017-06-14 标签:格芯7纳米finfet
三星第二代10纳米制程开发完成 | 老邢点评 三星第二代10纳米制程开发完成 | 老邢点评 三星上周四宣布,第二代10纳米FinFET制程已经开发完成,未来争取10纳米产品代工订单将如虎添翼。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。 类别:半导体新闻 2017-04-27 标签:三星10nm制程FinFET
中国半导体工艺落后国际大厂 谈突破先了解FinFET和胡正明 中国半导体工艺落后国际大厂 谈突破先了解FinFET和胡正明 日前,中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组利用低温低阻NiPt硅化... 类别:半导体新闻 2017-01-13 标签:半导体FinFETFD-SOI
FinFET发明人胡正明 获颁“潘文渊奖” FinFET发明人胡正明 获颁“潘文渊奖” 今年得奖者为美国加州大学柏克莱分校讲座教授胡正明,他也曾是台积电前技术长,主办单位表示,胡研发的3D鳍式电晶体(FinFET),突破物理极限,使元件更小... 类别:半导体新闻 2016-12-30 标签:FinFET胡正明潘文渊奖
10纳米FinFET工艺制程的Exynos8895呼之欲出 10纳米FinFET工艺制程的Exynos8895呼之欲出 其中Exynos 8895M为高配版,CPU核心架构为猫鼬M2+A53,其中猫鼬M2最高主频为2.5GHz,而A53主频为1.7GHz,GPU为20核的... 类别:半导体新闻 2016-12-29 标签:FinFETExynos8895半导体工艺
7nm后,这个技术将接替FinFET延续摩尔定律 7nm后,这个技术将接替FinFET延续摩尔定律 比利时微电子在2016国际电子元件会议中首度提出由硅纳米线垂直堆叠的环绕式闸极金属氧化物半导体场效电晶体的CMOS集成电路,其关键技术在于双功率金属闸极... 类别:半导体新闻 2016-12-12 标签:7nm制程FinFET摩尔定律
三星被指盗取FinFET芯片专利技术 三星被指盗取FinFET芯片专利技术 据外媒报道,三星电子被指侵犯了与鳍式场效应晶体管(FinFET)制程工艺相关的专利,面临诉讼。韩媒称,韩国科学技术院(KAIST)计划对三星提起诉讼,指... 类别:半导体新闻 2016-12-05 标签:三星FinFET
三星被指盗取FinFET芯片专利技术 将被起诉 三星被指盗取FinFET芯片专利技术 将被起诉 据外媒报道,三星电子被指侵犯了与鳍式场效应晶体管(FinFET)制程工艺相关的专利,面临诉讼。韩媒称,韩国科学技术院(KAIST)计划对三星提起诉讼,指... 类别:半导体新闻 2016-12-05 标签:三星FinFET芯片
下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET 下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET 据IEEE报道,来自IMEC的Hans Mertens研究小组,使用8纳米宽的密集型纳米线堆栈在传统硅表面上成功制作了环栅式晶体管,未来经过技术改进有可... 类别:工艺/制造 2016-11-23 标签:晶体管FinFETSiGe
物联网应用带动FD-SOI制程快速增长 物联网应用带动FD-SOI制程快速增长 物联网(IoT)应用将带动全耗尽型(Fully Detleted)制程技术加速成长。为满足低功耗、低成本、高效能之设计需求,格罗方德(GlobalFou... 类别:物联网 2016-11-17 标签:物联网FD-SOI制程FinFET
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